晶体管造句

“晶体管”的解释

用“晶体管”造句

1、 由BIMOS型运放和VMOS场效应晶体管的巧妙配合，使仪器具有很高的精度和很好的性能。

2、 这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性。

3、 采用标准分立双极元件，对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。

4、 这是一台最新式晶体管收音机。

5、 阻容晶体管逻辑电路。

6、 结晶装置，结晶方法，薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管和显示装置。

7、 存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。

8、 该原子的表现正如一个量子光学晶体管，能持续控制流入光腔的光。

9、 光电晶体管。集电极发射极电压30V的集电极发射极电压为5V功耗75毫瓦。

10、 我们所研究的晶体管都是把电流馈入发射极.

11、 我们戴手表，用相机拍照片，看地图找路，听晶体管收音机，而你们用一部手机可以做以上所有的事。

12、 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。

13、 其内部只不过是一串串极为普通的金属线和晶体管，但外观上却使人不敢等闲视之。

14、 只有一个外部晶体管所需的变容二极管，线路驱动。

15、 对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计，并进行了流片测试。

16、 在晶体管收、扩音机中,广泛采用推挽功率放大电路.

17、 这些高速开关器件取代慢，少的高效双极晶体管，增改善的表现，双方的步进电机驱动器和伺服放大器。

18、 硅外延平面晶体管，用于音频和通用。

19、 该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

20、 这类器件包括光电池、光电晶体管等。

21、 形成图案的方法，薄膜晶体管，显示设备及制法和应用。

22、 这里提出的结构解决了这个问题，它利用标准CMOS晶体管来实现非易失性存储器，这样就不需要额外的掩膜或工艺步骤。

23、 一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。

24、 “韩国泡菜碗里这个最辣的辣椒”就是三星电子，三星电子第一个电子产品是笨重的晶体管收音机，而发展到现在，从销量的角度去评估，它已经是世界上最大的科技公司。

25、 本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。

26、 一种其工作取决于固体材料中电或磁现象控制情况的元件，例如晶体管、晶体二极管和铁氧体磁芯等。

27、 这也是我第一印象，很高兴得到你的认同，凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。

28、 这种电路的每一支路中的元件，除一般电路元件外，还可能包括功率开关晶体管、二极管或隔离变压器的一个绕组。

29、 如果大脑中的神经连接变多变细，就会碰到热力学极限，正如计算机芯片上的晶体管所遇到的问题一样：容易产生“噪音”。

30、 另外，最近有其他研究人员研制出了纸基晶体管，米若因博士的可为带有这种晶体管的装置配电。

31、 这FET晶体管，这里用作可变电阻的电路IC2的反应的一部分。

32、 硅互补PNP晶体管。音频放大器和驱动器。

33、 这台电磁式机器一直使用到1959年，然后就被遗弃在灰尘中，因为到了那个时期，首先使用电子管、接着晶体管、然后集成电路芯片的真正电子计算机先后问世。

34、 本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性，提供了实测数据和应用电路实例。

35、 本文根据晶体管非线性元件的特点，利用数学推导方法，从基础上分析了变频工作啸叫的原因，并提出了消除方法。

36、 本文在对器件的特性进行分析的基础上，对多输入浮栅MOS晶体管在电压型多值逻辑电路中的应用进行了研究。

37、 电子控制单元。包括由转速传感器控制的开关晶体管，用来断开或接通初级电路。

38、 这就是说，电路并不在晶体管层次进行设计，而是在门电路、触发器和存储模块的级别进行设计的。

39、 特别地，当一个高功率电磁脉冲突然加载在晶体管上时，会导致晶体管的电击穿或热击穿。

40、 随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25V。

41、 我们必须十分重视晶体管的偏置.

42、 它拥有5英寸的屏幕使用了23个硅锗晶体管。

43、 在大多数应用中，电子管已由晶体管代替，但是在阴极射线管和一些无线电频率电路以及音频放大器中，仍然要使用电子管。

44、 通常由一个电阻器或者电流源，电容器和一个“阀门”装置，如氖灯、两端交流开关、单结晶体管或者耿式效应二极管来实现。

45、 图尔表示，晶体管必须是纯粹的半导体才能传载信息。

46、 在一般的双极晶体管，带有电输入和输出端口，这定律完全适用。

47、 本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型，详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。

48、 比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体管的差异，并对这些差异提出了物理解释。

49、 举例说明，20兆赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。

50、 其次，对提高有机薄膜晶体管的电学性能的研究。